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VBM17R05SE 产品详细

产品简介:

产品简介:VBsemi的VBM17R05SE是一款单N沟道MOSFET,具有700V的漏极-源极电压(VDS),30V的门-源电压(VGS),以及3.5V的阈值电压(Vth)。采用SJ_Deep-Trench技术制造,具有TO220封装,适用于多种应用场景。

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产品参数:


详细参数说明:
- 电压参数:VDS(漏极-源极电压)为700V,VGS(门-源电压)为±30V。
- 阈值电压:Vth(阈值电压)为3.5V。
- 电流参数:在VGS=10V时,导通时的最小电阻为840mΩ,最大漏极电流为5A。

领域和模块应用:

适用领域和模块举例:
1. 低功耗电子设备:由于VBM17R05SE具有低漏极电流特性,适用于需要低功耗的电子设备,如便携式电子产品和智能家居设备。
2. 电源管理模块:在电源管理模块中,该产品可用于稳压和功率开关,保证电力供应的稳定性和高效性,广泛应用于工业和消费电子领域。
3. LED照明控制:在LED照明系统中,VBM17R05SE可用于LED驱动器模块,实现对LED灯的高效控制和调光,节能环保。

以上是VBsemi的VBM17R05SE产品的简介、详细参数说明以及适用领域和模块的示例说明。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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