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VBM17R02 产品详细

产品简介:

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VBM17R02是VBsemi公司生产的单N沟道场效应晶体管(MOSFET),采用Plannar技术。该器件具有700V的漏源电压(VDS),30V的门源电压(VGS),门源电压阈值为3.2V。其在10V门源电压下的导通电阻(RDS(on))为6500mΩ,最大导通电流(ID)为2A。该产品封装形式为TO220。适用于多个领域和模块,在电源、汽车、太阳能和工业控制等领域都具有广泛的应用前景。

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产品参数:

详细参数说明:
- 产品型号:VBM17R02
- 品牌:VBsemi
- 类型:单N沟道场效应晶体管(MOSFET)
- 技术:Plannar
- 漏源电压(VDS):700V
- 门源电压(VGS):30V
- 门源电压阈值(Vth):3.2V
- 门源电压为10V时的导通电阻(RDS(on)):6500mΩ
- 最大导通电流(ID):2A
- 封装:TO220

领域和模块应用:

适用领域和模块示例:
1. 电源开关模块:VBM17R02适用于电源开关模块中的开关电源和逆变器模块,用于工业设备、通信设备等领域的稳定供电。
2. 汽车电子系统:在汽车电子系统中,该MOSFET可用于电动汽车的电机驱动模块,实现高效的电能转换和驱动控制,提高汽车的性能和节能性。
3. 太阳能逆变器:VBM17R02适用于太阳能逆变器中的功率开关模块,将太阳能电池板产生的直流电转换为交流电,应用于太阳能发电系统中,实现可再生能源的利用。
4. 工业控制模块:在工业自动化和控制系统中,该器件可以用作工业控制模块中的开关器件,实现对各种工业设备和机械的精确控制和调节。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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