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VBM175R06 产品详细

产品简介:

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VBM175R06是VBsemi生产的单N沟道场效应晶体管产品。它具有750V的漏极-源极电压(VDS),30V的门源电压(VGS),以及3.5V的阈值电压(Vth)。在VGS=10V时,其导通状态下的电阻为1700mΩ,最大漏极电流(ID)为6A。采用了Plannar技术,封装为TO220。

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产品参数:

详细参数说明:

- 产品型号:VBM175R06
- 品牌:VBsemi
- 参数:
- 漏极-源极电压(VDS):750V
- 门源电压(VGS):30V(±)
- 阈值电压(Vth):3.5V
- VGS=10V时的导通状态下电阻(mΩ):1700
- 最大漏极电流(ID):6A
- 技术:Plannar
- 封装:TO220

领域和模块应用:

应用领域和模块示例:

VBM175R06产品适用于以下领域和模块:

1. 电源管理模块:由于其高漏极电压和较大漏极电流,可用于设计高性能的开关电源模块,如直流-直流(DC-DC)变换器。
2. 电动汽车充电桩:作为充电桩的功率开关元件,用于控制充电桩的输出功率,实现对电动汽车的快速充电。
3. 电源开关:用于各种类型的电源开关,如电源适配器、UPS电源等,保证设备的高效供电。
4. 工业控制系统:在工业自动化控制系统中,可用于电机驱动器、逆变器等模块,实现对工业生产设备的高效控制和能源转换。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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