VBM16R43S是VBsemi推出的高性能单N型功率MOSFET。采用SJ_Multi-EPI技术制造，具有优异的电性能和稳定性，适用于各种工业和汽车应用场景。
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产品型号：VBM16R43S
品牌：VBsemi
所属公司：深圳市微碧半导体有限公司
详细参数说明:
- 极性：Single N
- 最大漏极-源极电压（VDS）：600V
- 最大栅极-源极电压（VGS）：±30V
- 阈值电压（Vth）：3.5V
- VGS=10V时的导通电阻（mΩ）：60
- 最大漏极电流（ID）：43A
- 技术：SJ_Multi-EPI
- 封装：TO220
要求三：应用举例
1. 工业电源模块：适用于工业级电源模块，如变频器、电力调节器和直流电源等，能够提供稳定可靠的功率输出。
2. 电动汽车电力控制：适用于电动汽车电力控制模块，如电动车电机控制器、充电桩和电池管理系统等，能够提供高效能和高可靠性的电力转换和控制。
3. 高频开关模块：适用于高频开关模块，如变频器、无线电频率调节器和电力逆变器等，能够实现高效的功率开关和频率调节，满足各种工业和汽车应用的需求。
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