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VBM16R41SFD 产品详细

产品简介:

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VBsemi公司的VBM16R41SFD是一款单N沟道MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)器件,具有高性能和可靠性。该器件采用SJ_Multi-EPI技术制造,封装形式为TO220。它具有600V的漏极-源极电压(VDS),30V的门源电压(VGS),和3.5V的阈值电压(Vth)。在VGS=10V时,其导通电阻为62mΩ,最大漏极电流(ID)为41A。

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产品参数:

详细参数说明:

- 产品型号:VBM16R41SFD
- 品牌:VBsemi
- 公司:深圳市微碧半导体有限公司
- 类型:单N沟道MOSFET
- 漏极-源极电压(VDS):600V
- 门源电压(VGS):±30V
- 阈值电压(Vth):3.5V
- 在VGS=10V时的导通电阻:62mΩ
- 最大漏极电流(ID):41A
- 制造工艺:SJ_Multi-EPI
- 封装形式:TO220

领域和模块应用:

适用领域和模块举例:

1. 工业电源模块:VBM16R41SFD的高漏极-源极电压和大电流特性使其适用于工业电源模块,可用于开关电源、逆变器和变频器等应用。
2. 电动汽车充电桩:该器件的高性能和可靠性使其成为电动汽车充电桩中的关键组件,可用于直流快速充电桩和交流充电桩的功率开关控制。
3. 太阳能逆变器:VBM16R41SFD可用于太阳能逆变器中的功率开关模块,实现太阳能光伏电能的有效转换和输出。
4. 工业控制系统:在工业控制系统中,该器件可用于电机控制、电力分配和高压开关设备等模块,提供可靠的电力控制和保护功能。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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