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VBM16R34SFD 产品详细

产品简介:

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VBM16R34SFD是VBsemi公司推出的单N沟道MOSFET器件,具有高性能和可靠性。采用SJ_Multi-EPI技术制造,封装为TO220。该器件具有600V的漏极-源极电压(VDS)、30V的门源电压(VGS)、3.5V的阈值电压(Vth),在VGS=10V时的导通电阻为80mΩ,最大漏极电流(ID)为34A。

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产品参数:

详细参数说明:

- 产品型号:VBM16R34SFD
- 品牌:VBsemi
- 类型:单N沟道MOSFET
- 漏极-源极电压(VDS):600V
- 门源电压(VGS):±30V
- 阈值电压(Vth):3.5V
- 在VGS=10V时的导通电阻:80mΩ
- 最大漏极电流(ID):34A
- 制造工艺:SJ_Multi-EPI
- 封装形式:TO220

领域和模块应用:

适用领域和模块举例:

1. 工业电源模块:由于具有合适的电压和电流特性,VBM16R34SFD可用于工业电源模块中的功率开关,例如用于开关电源和逆变器的输出控制。
2. 电动汽车充电桩:该器件可用于电动汽车充电桩的功率开关模块,实现充电桩对电动车辆的安全、高效充电。
3. 太阳能逆变器:在太阳能逆变器中,VBM16R34SFD可用作功率开关,实现太阳能光伏电能的转换和输出。
4. 电动工具和家电控制:在电动工具和家电控制系统中,该器件可用于开关控制、驱动电机和功率调节,提高设备的性能和可靠性。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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