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VBM16R32S 产品详细

产品简介:

产品简介详述:
  VBM16R32S是VBsemi品牌推出的一款TO220封装的单N型半导体器件。它具有600V的耐压(VDS),最大电流达到32A(ID),并且在VGS=10V时具有85mΩ的导通电阻。该产品采用了SJ_Multi-EPI技术,具有优异的性能和稳定性。

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产品参数:

详细参数说明:
  - 耐压(VDS): 600V
  - 栅极-源极电压(VGS): ±30V
  - 阈值电压(Vth): 3.5V
  - VGS=10V时的导通电阻: 85mΩ
  - 最大漏极电流(ID): 32A
  - 技术:SJ_Multi-EPI
  - 封装类型: TO220

领域和模块应用:

适用领域和模块示例:
  - 领域:
    - 工业电力系统: 由于其高耐压和大电流特性,VBM16R32S适用于工业电力系统中的功率开关和逆变器。
    - 汽车电子: 在汽车电子领域,该产品可用于电动汽车控制器和充电系统中的功率电子模块。
    - 太阳能和风能转换器: 该产品在太阳能和风能转换器中可用作逆变器和功率放大器。

  - 模块示例:
    - 电力模块: VBM16R32S可用于设计各种类型的电力模块,包括交流/直流变换器和电机驱动器。
    - 逆变器模块: 由于其稳定性和性能,该产品适用于工业和商业应用中的各种逆变器模块,用于能源转换和电力控制。

*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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