产品简介详述:
VBM16R32S是VBsemi品牌推出的一款TO220封装的单N型半导体器件。它具有600V的耐压(VDS),最大电流达到32A(ID),并且在VGS=10V时具有85mΩ的导通电阻。该产品采用了SJ_Multi-EPI技术,具有优异的性能和稳定性。
详细参数说明:
- 耐压(VDS): 600V
- 栅极-源极电压(VGS): ±30V
- 阈值电压(Vth): 3.5V
- VGS=10V时的导通电阻: 85mΩ
- 最大漏极电流(ID): 32A
- 技术:SJ_Multi-EPI
- 封装类型: TO220
适用领域和模块示例:
- 领域:
- 工业电力系统: 由于其高耐压和大电流特性,VBM16R32S适用于工业电力系统中的功率开关和逆变器。
- 汽车电子: 在汽车电子领域,该产品可用于电动汽车控制器和充电系统中的功率电子模块。
- 太阳能和风能转换器: 该产品在太阳能和风能转换器中可用作逆变器和功率放大器。
- 模块示例:
- 电力模块: VBM16R32S可用于设计各种类型的电力模块,包括交流/直流变换器和电机驱动器。
- 逆变器模块: 由于其稳定性和性能,该产品适用于工业和商业应用中的各种逆变器模块,用于能源转换和电力控制。
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