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VBM16R20SE 产品详细

产品简介:

产品简介:
VBM16R20SE是VBsemi生产的单N沟道MOSFET型号。它具有600V的漏极-源极电压(VDS)、30V的门极-源极电压(VGS)、3.5V的门极阈值电压(Vth),以及20A的漏极电流(ID)。采用SJ_Deep-Trench技术制造,封装为TO220。

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产品参数:

详细参数说明:
- 漏极-源极电压(VDS):600V
- 门极-源极电压(VGS):30V
- 门极阈值电压(Vth):3.5V
- VGS=10V时的导通电阻(mΩ):150
- 漏极电流(ID):20A
- 技术:SJ_Deep-Trench

领域和模块应用:

适用领域和模块举例:
1. 电源开关:VBM16R20SE可用作各种类型的电源开关,用于稳定输出电压和电流,适用于工业设备、消费电子产品等领域。
2. 电动车电机控制:作为电动车电机控制系统中的关键元件,该型号的MOSFET可用于电机控制,实现高效的能量转换和驱动。
3. LED照明驱动器:在LED照明系统中,VBM16R20SE可用于LED驱动器中的功率转换和调节,确保LED灯具的稳定亮度和长寿命。
4. 电力电子变流器:用于工业电机调速控制和电力转换的电力电子变流器中,该型号的MOSFET可以实现高效的电能转换和调节,提高系统的效率和可靠性。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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