MOSFET

您现在的位置 > 首页 > MOSFET

VBM16R20S 产品详细

产品简介:

产品简介:
VBM16R20S是VBsemi公司生产的Single N型MOSFET,采用SJ_Multi-EPI技术制造。该器件具有600V的漏极-源极电压(VDS),30V的门极-源极电压(VGS),3.5V的门极阈值电压(Vth)。其封装为TO220。

文件下载

下载PDF 文档
立即下载

产品参数:

详细参数说明:
- 漏极-源极电压(VDS):600V
- 门极-源极电压(VGS):±30V
- 门极阈值电压(Vth):3.5V
- 10V门极电压下的漏极-源极电阻(mΩ):160mΩ
- 最大漏极电流(ID):20A
- 技术:SJ_Multi-EPI

领域和模块应用:

应用示例:
- 电源模块:VBM16R20S适用于各种电源模块,如开关电源、逆变器和变频器,可用于工业、汽车和家庭电子设备。
- 汽车电子:作为电动汽车和混合动力汽车中的电源开关和逆变器,该器件能够有效地驱动电动机和实现能量转换。
- LED照明:VBM16R20S可用于LED照明系统中的电源开关和调光功能,提供高效的电源管理和控制。
- 工业自动化:在工业自动化领域,该器件可用于控制高功率设备和执行工业自动化任务,如电动机控制和传感器接口。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

打样申请

序列号验证

在线咨询

电话咨询

400-655-8788

微信咨询

一键置顶

打样申请
序列号验证
在线咨询
电话咨询
微信咨询