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VBM16R12 产品详细

产品简介:

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VBM16R12是VBsemi生产的单N沟道MOSFET型号。它具有600V的漏极-源极电压(VDS)、30V的门极-源极电压(VGS)、3.5V的门极阈值电压(Vth),以及12A的漏极电流(ID)。采用Plannar技术制造,封装为TO220。

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产品参数:

详细参数说明:
- 漏极-源极电压(VDS):600V
- 门极-源极电压(VGS):30V
- 门极阈值电压(Vth):3.5V
- VGS=4.5V时的导通电阻(mΩ):288
- VGS=10V时的导通电阻(mΩ):360
- 漏极电流(ID):12A
- 技术:Plannar

领域和模块应用:

适用领域和模块举例:
1. 电源开关:VBM16R12可用作各种类型的电源开关,例如开关电源、逆变器和直流-直流转换器,在工业、汽车和家庭电器等领域广泛应用。
2. 汽车电子系统:作为汽车电子系统中的功率开关器件,该MOSFET可用于驱动电动机、电池管理和车载充电设备,提供高效、稳定的能量转换和控制功能。
3. 照明应用:应用于LED驱动器和照明系统中,控制LED的亮度和电流,实现节能环保的照明效果,在家庭、商业和公共场所得到广泛应用。
4. 工业自动化设备:VBM16R12可用于工业自动化设备中的电机控制和驱动模块,实现精准的运动控制和高效的能量转换,提高设备的生产效率和稳定性。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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