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VBM16R11 产品详细

产品简介:

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VBM16R11是VBsemi推出的单N沟道MOSFET,采用Plannar技术制造。它具有600V的漏源极电压(VDS)、30V的栅源电压(VGS)、以及3.5V的阈值电压(Vth)。该产品采用TO220封装,适用于各种功率电子系统。电源管理、汽车电子、LED照明、工业控制以及电动工具等多个领域和模块,具有广泛的应用前景和市场需求。

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产品参数:

详细参数说明:

1. 漏源极电压(VDS):600V
2. 栅源电压(VGS):±30V
3. 阈值电压(Vth):3.5V
4. 在VGS=10V时的漏源极电阻(mΩ):800
5. 最大漏极电流(ID):11A
6. 技术:Plannar

领域和模块应用:

适用领域和模块:

1. 电源管理模块:由于VBM16R11具有适中的漏源极电阻和封装尺寸,适用于电源管理模块中的开关电源、DC-DC转换器等,实现稳定可靠的能量转换和电源管理。

2. 汽车电子系统:该型号的MOSFET适用于汽车电子系统中的功率控制模块,如车载电池管理系统、车载充电器等,实现高效的能量转换和电力管理,提高汽车电子系统的性能和稳定性。

3. LED照明系统:VBM16R11可用于LED照明系统中的功率驱动模块,提供稳定可靠的电源和高效的能量转换,满足不同场景下的照明需求。

4. 工业控制系统:在工业控制领域,该型号的MOSFET可以应用于电机驱动器、温度控制器、PLC等各种控制系统中,提供可靠的功率控制和调节功能。

5. 电动工具:适用于电动工具中的功率控制模块,如电动钻、电动锤等,实现稳定的电力输出和可靠的功率控制,提高电动工具的性能和使用寿命。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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