VBM16R08 - VBsemi MOS管制造商

VBM16R08 产品详细

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产品简介：

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VBsemi 的 VBM16R08 是一款单 N 型 MOSFET，具有 600V 的漏极-源极电压（VDS），30V 的门源极电压（VGS，正负），3.5V 的阈值电压（Vth）。它采用 Plannar 技术，并且封装为 TO220。

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产品参数：

详细参数说明：

- 漏极-源极电压（VDS）: 600V
- 门源极电压（VGS，正负）: ±30V
- 阈值电压（Vth）: 3.5V
- VGS=4.5V 时的导通电阻（mΩ）: 1070
- VGS=10V 时的导通电阻（mΩ）: 780
- 最大漏极电流（ID）: 8A

领域和模块应用：

适用领域和模块举例：

- 低频电源转换器：适用于低频电源转换器中的功率开关，如家用电器、消费电子产品等。
- 电机驱动器：可用于电机驱动器中的功率开关，如电动工具、家用电器中的电机驱动等。
- LED照明控制器：在LED照明系统中，可用作LED驱动器的开关管，实现LED光源的控制和调节，提高照明系统的能效和稳定性。
- 汽车电子系统：适用于汽车电子系统中的电源管理和驱动控制，如车载电源管理、驱动控制等。

*请注意：以上只是示例应用场景，具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时，请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持：

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MOSFET

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