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VBM16R07S 产品详细

产品简介:

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VBsemi VBM16R07S 是一款 Single N MOSFET,采用 SJ_Multi-EPI 技术,封装为 TO220。具有高性能和稳定性,适用于各种功率控制和开关应用。

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产品参数:

详细参数说明:
- 品牌:VBsemi
- 产品型号:VBM16R07S
- MOSFET类型:Single N
- 额定电压(VDS):600V
- 栅极-源极电压(VGS):±30V
- 阈值电压(Vth):3.5V
- 栅源电压为10V时的导通电阻:650mΩ
- 最大连续漏极电流(ID):7A
- 技术:SJ_Multi-EPI
- 封装:TO220

领域和模块应用:

适用领域和模块举例:
1. 工业电机驱动:VBM16R07S 具有较高的电压容忍度和导通电流能力,适用于工业电机驱动器,如电动机控制器和变频器。
2. 电源逆变器:在电源逆变器中,VBM16R07S 可以作为开关管,实现电能转换,适用于太阳能逆变器和UPS系统等领域。
3. 汽车电子:由于其高性能和可靠性,VBM16R07S 可用于汽车电子系统中,如电动汽车的电力转换模块和充电桩控制器。
4. 工业自动化:在工业自动化设备中,VBM16R07S 可以用作电源开关和控制元件,如PLC控制器和机器人控制系统。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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