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VBM16R07 产品详细

产品简介:

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VBM16R07是VBsemi品牌推出的单N沟道MOSFET器件,具有高性能和可靠性。采用Plannar技术制造,封装为TO220。该器件具有600V的漏极-源极电压(VDS)、30V的门源电压(VGS)、3.5V的阈值电压(Vth),在VGS=10V时的导通电阻为1200mΩ,最大漏极电流(ID)为7A。

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产品参数:

详细参数说明:

- 产品型号:VBM16R07
- 品牌:VBsemi
- 类型:单N沟道MOSFET
- 漏极-源极电压(VDS):600V
- 门源电压(VGS):±30V
- 阈值电压(Vth):3.5V
- 在VGS=10V时的导通电阻:1200mΩ
- 最大漏极电流(ID):7A
- 制造工艺:Plannar
- 封装形式:TO220

领域和模块应用:

适用领域和模块举例:

1. 低功率电子产品:由于VBM16R07具有较低的漏电流和适中的功率特性,适用于各种低功率电子产品,如家用电器、小型电源适配器等。
2. LED照明控制:在LED照明系统中,该器件可用于LED灯具的电源开关控制模块,提供稳定的电力输出和亮度调节。
3. 低功耗电源管理:VBM16R07适用于低功耗电源管理模块,如待机电源、充电器等,提供稳定、高效的电力控制和保护。
4. 汽车电子:在汽车电子系统中,该器件可用于车载电子产品中的功率开关控制,如车载娱乐系统、车内照明等,提供可靠的电力控制和保护。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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