VBM16R02 - VBsemi MOS管制造商

VBM16R02 产品详细

描述
参数
应用
技术支持

产品简介：

产品简介：
型号：VBM16R02
品牌：VBsemi
封装：TO220
参数：
- Single N
- VDS(V): 600
- VGS(±V): 30
- Vth(V): 3.5
- VGS=4.5V(mΩ): 6000
- VGS=10V(mΩ): 4800
- ID (A): 2
- Technology: Plannar

文件下载

下载PDF 文档

立即下载

点击查看大图

产品参数：

详细参数说明：
1. Single N：单N沟道
2. VDS(V): 600 - 饱和漏-源电压
3. VGS(±V): 30 - 栅-源电压（最大）
4. Vth(V): 3.5 - 门阈电压
5. VGS=4.5V(mΩ): 6000 - 在VGS=4.5V时的漏-源电阻
6. VGS=10V(mΩ): 4800 - 在VGS=10V时的漏-源电阻
7. ID (A): 2 - 连续漏极电流
8. Technology: Plannar - 平面结构技术

领域和模块应用：

适用领域和模块：
1. 低功耗电子设备：由于其低漏-源电阻和低功耗特性，适用于低功耗电子设备，如传感器接口和微控制器电源管理。
2. 电源模块：在小功率的电源模块中，如开关电源和稳压电源，可以用于实现电能转换和稳压控制。
3. 自动化控制：适用于自动化控制系统中的功率开关模块，如工业自动化和智能制造中的驱动器和控制器。
4. LED照明：可用于LED驱动器和照明控制器等照明应用中，由于其较高的漏-源电阻和稳定的性能。

*请注意：以上只是示例应用场景，具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时，请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持：

* 如果您对产品有任何问题，请填写表格提交，我们会24小时内回复您

MOSFET

VBM16R02 产品详细

产品简介：

文件下载

下载PDF 文档

产品参数：

领域和模块应用：

技术支持：

打样申请

序列号验证

在线咨询

电话咨询

微信咨询

一键置顶