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VBM165R32SE 产品详细

产品简介:

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VBsemi VBM165R32SE 是一款单N沟道场效应晶体管,采用 SJ_Deep-Trench 技术制造。具有高性能和可靠性,适用于多种电力电子应用场合。

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产品参数:

详细参数说明:
- 产品型号:VBM165R32SE
- 品牌:VBsemi
- 类型:单N沟道场效应晶体管
- 封装:TO220
- VDS(耐压):650V
- VGS(门极源极电压):±30V
- Vth(阈值电压):3.5V
- VGS=10V时的导通电阻:89mΩ
- 最大漏极电流(ID):32A
- 技术:SJ_Deep-Trench

领域和模块应用:

应用领域和模块示例:
1. 工业电源系统:VBM165R32SE 可用于工业电源系统中的开关电源、逆变器等模块,提供稳定可靠的电力输出,满足工业设备的需求。
2. 电动车辆:在电动车辆的电机驱动系统中,该产品可以作为关键部件,实现高效能的动力输出,提升电动车的性能和续航能力。
3. 太阳能逆变器:适用于太阳能逆变器中的功率开关模块,将太阳能电能转换为可用电能,用于家庭和商业太阳能发电系统。
4. 汽车充电桩:VBM165R32SE 可用于电动汽车充电桩中的充电控制器模块,实现快速安全的电动车充电服务,满足城市交通的需求。

*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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