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VBM165R32S 产品详细

产品简介:

产品简介:
VBM165R32S是VBsemi公司生产的Single N型MOSFET,采用SJ_Multi-EPI技术制造。该器件具有650V的漏极-源极电压(VDS),30V的门极-源极电压(VGS),3.5V的门极阈值电压(Vth)。其封装为TO220。

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产品参数:

详细参数说明:
- 漏极-源极电压(VDS):650V
- 门极-源极电压(VGS):±30V
- 门极阈值电压(Vth):3.5V
- 10V门极电压下的漏极-源极电阻(mΩ):85mΩ
- 最大漏极电流(ID):32A
- 技术:SJ_Multi-EPI

领域和模块应用:

应用示例:
- 电源模块:由于VBM165R32S具有较高的漏极-源极电压和较大的漏极电流,适用于各种电源模块,如开关电源、逆变器和变频器。
- 电动汽车充电桩:该器件的高电压和大电流特性使其成为电动汽车充电桩中电源开关和逆变器的理想选择。
- 太阳能逆变器:由于其高性能和耐压特性,该器件可用于太阳能逆变器中,转换太阳能电池板产生的直流电为交流电。
- 工业电子:在工业电子设备中,VBM165R32S可用于驱动高功率电机和执行其他高功率应用。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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