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VBM165R25SE 产品详细

产品简介:

产品简介:VBsemi 的 VBM165R25SE 是一款单 N 沟道场效应晶体管,具有高耐压和高电流承受能力,适用于各种功率电子应用。

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产品参数:

详细参数说明:
- 品牌:VBsemi
- 型号:VBM165R25SE
- 类型:单 N 沟道场效应晶体管
- 最大漏极-源极电压(VDS):650V
- 最大栅极-源极电压(VGS):±30V
- 阈值电压(Vth):3.5V
- 栅极-源极电压为 10V 时的导通电阻(mΩ):115
- 最大漏极电流(ID):25A
- 技术:SJ_Deep-Trench
- 封装:TO220

领域和模块应用:

适用领域和模块举例:
1. 电源模块:VBM165R25SE 可用于设计各种电源模块,确保稳定可靠的电源输出,适用于家庭电器、电动工具等应用。
2. 工业控制系统:在需要承受高压和大电流的工业控制系统中,可作为功率开关器件,确保设备的性能和稳定性。
3. 太阳能逆变器:适用于太阳能逆变器中的功率转换和控制电路,提供高效率和可靠性的能量转换解决方案。
4. 汽车电子系统:在汽车电子系统中,可用于设计车载电源管理和驱动模块,提供可靠的动力输出和控制。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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