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VBM165R22 产品详细

产品简介:

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VBsemi VBM165R22 是一款单N沟道场效应晶体管,具有高达650V的漏极-源极电压(VDS)和22A的漏极电流(ID)。采用平面工艺技术制造,具有优异的性能和稳定性。封装为TO220,适用于各种应用场合。

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产品参数:

详细参数说明:
- 型号:VBM165R22
- 品牌:VBsemi
- 类型:单N沟道场效应晶体管
- 漏极-源极电压(VDS):650V
- 栅极-源极电压(VGS):±30V
- 阈值电压(Vth):3.5V
- 在VGS=10V时的导通电阻(mΩ):280
- 漏极电流(ID):22A
- 工艺技术:平面工艺
- 封装:TO220

领域和模块应用:

适用领域和模块示例:
1. 电源模块:由于其高漏极电压和漏极电流,适用于开关电源和直流-直流变换器等高压电源模块。
2. 驱动器模块:可用于驱动电机、继电器和其他高功率负载的驱动器模块。
3. 电动车充电器:适用于电动汽车充电器中的开关电源和逆变器模块,以实现高效率和快速充电。
4. 工业控制系统:用于工业控制系统中的电源管理和电机驱动模块,提高系统的可靠性和效率。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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