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VBM165R20S 产品详细

产品简介:

产品简介:
VBM165R20S是VBsemi生产的单N沟道MOSFET型号。它具有650V的漏极-源极电压(VDS)、30V的门极-源极电压(VGS)、3.5V的门极阈值电压(Vth),以及20A的漏极电流(ID)。采用SJ_Multi-EPI技术制造,封装为TO220。

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产品参数:

详细参数说明:
- 漏极-源极电压(VDS):650V
- 门极-源极电压(VGS):30V
- 门极阈值电压(Vth):3.5V
- VGS=10V时的导通电阻(mΩ):160
- 漏极电流(ID):20A
- 技术:SJ_Multi-EPI

领域和模块应用:

适用领域和模块举例:
1. 电源稳压模块:VBM165R20S可用于电源稳压模块中的功率开关,用于稳定输出电压和电流,适用于各类工业设备和消费电子产品。
2. 电动车充电桩:作为充电桩中的关键元件,该型号的MOSFET可用于充电桩的功率转换和电流控制,确保电动车的安全充电。
3. 太阳能逆变器:在太阳能发电系统中,VBM165R20S可用作逆变器中的开关装置,实现太阳能电能的有效转换和利用。
4. 电力电子调速器:用于工业电机调速控制的电力电子调速器中,该型号的MOSFET可以实现高效的电能转换和调节,提高设备的运行效率。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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