产品简介：
VBsemi的VBM165R18是一款单N沟道功率MOSFET，采用平面技术制造。其主要特点包括最大漏极-源极电压(VDS)为650V，最大门源电压(VGS)为±30V，阈值电压(Vth)为3.5V，在VGS=10V时的导通电阻为430mΩ，最大漏极电流(ID)为18A。封装形式为TO220。