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VBM165R15S 产品详细

产品简介:

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VBM165R15S是VBsemi品牌推出的单N沟道MOSFET,具有650V的漏极-源极电压(VDS),30V的门极-源极电压(VGS),以及3.5V的阈值电压(Vth)。它采用SJ_Multi-EPI技术,封装为TO220。

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产品参数:

详细参数说明:

- 产品型号:VBM165R15S
- 品牌:VBsemi
- 类型:单N沟道MOSFET
- VDS(漏极-源极电压):650V
- VGS(门极-源极电压):±30V
- 阈值电压(Vth):3.5V
- VGS=10V时的导通电阻:220mΩ
- 最大漏极电流(ID):15A
- 技术:SJ_Multi-EPI
- 封装:TO220

领域和模块应用:

适用领域和模块示例:

1. 高压电源模块:由于VBM165R15S具有高漏极电压和较低的导通电阻,适用于高压电源模块,如电力逆变器和变频器。
2. 工业电机驱动:用于工业电机驱动系统,包括电动汽车、工业机械和机器人等领域,实现高效、可靠的电机控制。
3. 太阳能逆变器:在太阳能发电系统中,VBM165R15S可用于逆变器模块,将太阳能电池板产生的直流电转换为交流电,供电给家庭和商业用途。
4. 电源管理:适用于电源管理模块,包括开关电源、电源适配器和LED驱动器等,用于稳定的电源输出和节能控制。

以上是VBM165R15S产品在不同领域和模块中的应用示例。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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