VBM165R13S - VBsemi MOS管制造商

VBM165R13S 产品详细

产品简介：VBsemi的VBM165R13S是一款单N型场效应晶体管，具有650V的漏极-源极电压（VDS）、30V的门-源电压（VGS）、3.5V的门阈电压（Vth），适用于各种电力应用场合。

详细参数说明：
- VDS（漏极-源极电压）：650V
- VGS（门-源电压）：±30V
- Vth（门阈电压）：3.5V
- VGS=10V时的导通电阻（mΩ）：330
- 最大漏极电流（ID）：13A
- 技术：SJ_Multi-EPI
- 封装：TO220

应用示例：
- 电源逆变器：由于具有较高的漏极-源极电压和大电流容量，适用于太阳能逆变器、UPS逆变器等。
- 汽车电子：可用于混合动力汽车和电动汽车的电机驱动系统，支持高压高功率的要求。
- 工业控制：在工业自动化领域，可用于变频器、电机控制器等设备中，提供高效的功率转换和可靠的性能。

*请注意：以上只是示例应用场景，具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时，请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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