MOSFET

您现在的位置 > 首页 > MOSFET

VBM165R13S 产品详细

产品简介:

产品简介:VBsemi的VBM165R13S是一款单N型场效应晶体管,具有650V的漏极-源极电压(VDS)、30V的门-源电压(VGS)、3.5V的门阈电压(Vth),适用于各种电力应用场合。

文件下载

下载PDF 文档
立即下载

产品参数:

详细参数说明:
- VDS(漏极-源极电压):650V
- VGS(门-源电压):±30V
- Vth(门阈电压):3.5V
- VGS=10V时的导通电阻(mΩ):330
- 最大漏极电流(ID):13A
- 技术:SJ_Multi-EPI
- 封装:TO220

领域和模块应用:

应用示例:
- 电源逆变器:由于具有较高的漏极-源极电压和大电流容量,适用于太阳能逆变器、UPS逆变器等。
- 汽车电子:可用于混合动力汽车和电动汽车的电机驱动系统,支持高压高功率的要求。
- 工业控制:在工业自动化领域,可用于变频器、电机控制器等设备中,提供高效的功率转换和可靠的性能。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

打样申请

序列号验证

在线咨询

电话咨询

400-655-8788

微信咨询

一键置顶

打样申请
序列号验证
在线咨询
电话咨询
微信咨询