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VBM165R12S 产品详细

产品简介:

产品简介:
VBM165R12S是VBsemi品牌推出的单N沟道场效应晶体管,封装为TO220。它具有高达650V的漏源电压(VDS),30V的栅源电压(VGS),以及3.5V的阈值电压(Vth)。此外,其栅源电压为10V时的导通电阻为360mΩ,最大漏极电流(ID)为12A。该产品采用SJ_Multi-EPI工艺制造。

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产品参数:

详细参数说明:
- 漏源电压(VDS):650V
- 栅源电压(VGS):30V
- 阈值电压(Vth):3.5V
- 栅源电压为10V时的导通电阻:360mΩ
- 最大漏极电流(ID):12A
- 制造工艺:SJ_Multi-EPI
- 封装:TO220

领域和模块应用:

应用领域和模块示例:
该产品适用于以下领域和模块:
1. 电源开关模块:由于其高漏源电压和较低的导通电阻,可用于设计高效率的电源开关模块,如电源逆变器和开关电源供应器。
2. 工业驱动器:在工业自动化领域,该产品可用于电机控制、变频器和电力传输等模块,提高系统的性能和稳定性。
3. 汽车电子模块:适用于汽车电子系统中的电动汽车充电桩、电池管理系统和车载电源等模块,满足汽车电气系统对高电压和大电流的需求。
4. 太阳能逆变器:作为太阳能逆变器的关键组件之一,该产品能够提供稳定的电压输出和高效的能量转换,从而提高太阳能发电系统的性能和可靠性。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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