VBM165R12 - VBsemi MOS管制造商

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产品简介：

**产品简介：**
VBM165R12是VBsemi推出的单极N型场效应晶体管。具有650V的漏源极电压（VDS）、30V的栅源极电压（VGS）、3.5V的阈值电压（Vth），以及在栅源极电压为10V时的栅源极电阻和12A的漏极电流。采用Plannar技术制造，封装为TO220，适用于各种电源和电路模块。

**详细参数说明：**
- VDS(V): 漏源极电压，650V
- VGS(±V): 栅源极电压，±30V
- Vth(V): 阈值电压，3.5V
- VGS=10V(mΩ): 栅源极电阻（VGS=10V），800mΩ
- ID (A): 漏极电流，12A
- Technology：制造技术，Plannar
- 封装：TO220

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产品参数：

产品型号：VBM165R12
品牌：VBsemi
参数：
- 单极N型
- VDS(V): 650
- VGS(±V): 30
- Vth(V): 3.5
- VGS=10V(mΩ): 800
- ID (A): 12
- Technology：Plannar
- 封装：TO220

领域和模块应用：

**适用领域和模块示例：**
1. **电源模块**：由于VBM165R12具有高漏源极电压和相对低的栅源极电阻，适用于各种电源模块，包括开关电源、逆变器等。
2. **电机驱动**：作为场效应晶体管，VBM165R12可以用于各种电机驱动，如直流电机、步进电机等，特别适用于高功率的电机控制。
3. **工业电力系统**：在需要高功率控制的工业电力系统中，如变流器、直流-交流转换器等，VBM165R12可以作为关键组件，提供稳定可靠的功率控制。
4. **电动汽车充电器**：在电动汽车充电器中，需要承受高电压和大电流的元件，VBM165R12可以用作充电器中的功率开关器件，实现电动汽车的快速充电。

*请注意：以上只是示例应用场景，具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时，请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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