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VBM165R11SE 产品详细

产品简介:

产品简介:VBsemi的VBM165R11SE是一款单N沟道功率场效应晶体管(FET),采用SJ_Deep-Trench技术制造。其封装为TO220,具有高效的功率处理能力和稳定可靠的性能。适用于各种需要单N沟道FET的应用场景。

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产品参数:

详细参数说明:
- 电压参数:VDS(漏极-源极电压)为650V,VGS(栅极-源极电压)为±30V,阈值电压(Vth)为3.5V。
- 电流参数:在VGS=10V时,漏极-源极电阻(RDSon)为290mΩ,最大漏极电流(ID)为11A。

领域和模块应用:

适用领域和模块:
1. 电源模块:适用于高效的电源转换器、逆变器和开关电源模块。
2. 电动汽车:用于电动汽车的电机控制和电池管理系统,提供高效的动力输出。
3. 工业电子:可用于工业电机驱动、电源逆变器和电源管理单元等工业应用。
4. 太阳能和可再生能源:适用于太阳能逆变器、光伏发电系统和风力发电装置等能源转换设备。
5. 通信设备:用于通信基站、射频功率放大器和雷达系统中的高压电源管理模块。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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