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VBM165R11S 产品详细

产品简介:

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VBM165R11S是VBsemi品牌推出的单N沟道MOSFET,具有650V的漏极-源极电压(VDS),30V的门极-源极电压(VGS),以及3.5V的阈值电压(Vth)。它采用SJ_Multi-EPI技术,封装为TO220。

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产品参数:

详细参数说明:

- 产品型号:VBM165R11S
- 品牌:VBsemi
- 类型:单N沟道MOSFET
- VDS(漏极-源极电压):650V
- VGS(门极-源极电压):±30V
- 阈值电压(Vth):3.5V
- VGS=10V时的导通电阻:420mΩ
- 最大漏极电流(ID):11A
- 技术:SJ_Multi-EPI
- 封装:TO220

领域和模块应用:

适用领域和模块示例:

1. 工业电源模块:VBM165R11S适用于工业电源模块,如电力逆变器和变频器,用于稳定输出电压和频率,实现工业设备的供电和控制。
2. 电动汽车控制:在电动汽车控制系统中,该MOSFET可用于电机驱动模块,实现电动汽车的动力控制和能源转换,提高汽车的动力性能和能效。
3. 太阳能逆变器:用于太阳能发电系统中的逆变器模块,将太阳能电池板产生的直流电转换为交流电,供电给家庭和商业用途。
4. LED照明控制:在LED照明系统中,VBM165R11S可用于LED驱动器模块,控制LED灯的亮度和色温,实现节能和环保的照明效果,适用于室内和室外照明应用。

以上是VBM165R11S产品在不同领域和模块中的应用示例。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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