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VBM165R10 产品详细

产品简介:

**产品简介:**
VBM165R10是VBsemi品牌的单N沟道MOSFET,采用Plannar技术制造,封装为TO220。该产品具有高达650V的漏极-源极电压(VDS),并且具有较低的导通电阻。适用于各种要求高功率开关和电源管理的场合。

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产品参数:

**详细参数说明:**
- 品牌:VBsemi
- 型号:VBM165R10
- 类型:Single N 沟道 MOSFET
- 漏极-源极电压(VDS):650V
- 栅极-源极电压(VGS):±30V
- 阈值电压(Vth):3.5V
- 栅极-源极电压为10V时的导通电阻:1100 mΩ
- 最大漏极电流(ID):10A
- 技术:Plannar
- 封装:TO220

领域和模块应用:

**适用领域和模块举例:**
1. **电源管理模块**:VBM165R10可用于各种电源管理模块,如开关电源、电池充放电管理等。由于其高电压和较低的导通电阻特性,能够提供可靠的功率开关功能。

2. **电动汽车驱动器**:在电动汽车驱动器中,该型号的MOSFET可用于电动汽车电机驱动和控制。其高电压和高电流特性使其能够承受电动汽车驱动器中的高电压和电流负载。

3. **太阳能逆变器**:VBM165R10可用于太阳能逆变器中的功率开关电路,实现太阳能电能的有效转换和管理。其高耐压和高电流特性使其适用于太阳能发电系统中的高压环境。

4. **工业控制**:在工业控制领域,该型号的MOSFET可用于控制各种工业设备和机器人。其高电压和低导通电阻特性使其能够承受工业环境中的高电压和电流负载。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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