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VBM165R09S 产品详细

产品简介:

产品简介:VBsemi的VBM165R09S型号是一款单N沟道MOSFET,具有650V的漏极-源极电压(VDS),30V的栅极-源极电压(VGS),以及3.5V的阈值电压(Vth)。该产品采用SJ_Multi-EPI技术制造,封装为TO220。

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产品参数:

详细参数说明:
- VDS(漏极-源极电压):650V
- VGS(栅极-源极电压):±30V
- Vth(阈值电压):3.5V
- VGS=10V时的导通电阻:500mΩ
- 最大漏极电流(ID):9A
- 技术:SJ_Multi-EPI
- 封装:TO220

领域和模块应用:

适用领域和模块示例:
- 工业电源:由于650V的漏极-源极电压和9A的最大漏极电流,适用于工业电源模块,如逆变器和直流电源。
- 电动车充电器:具有30V的栅极-源极电压,适用于电动车充电器中的开关电源模块。
- 太阳能逆变器:SJ_Multi-EPI技术和500mΩ的导通电阻,使其适用于太阳能逆变器中的功率开关模块,以实现高效能的能量转换。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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