VBM165R09S - VBsemi MOS管制造商

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产品简介：VBsemi的VBM165R09S型号是一款单N沟道MOSFET，具有650V的漏极-源极电压（VDS），30V的栅极-源极电压（VGS），以及3.5V的阈值电压（Vth）。该产品采用SJ_Multi-EPI技术制造，封装为TO220。

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产品参数：

详细参数说明：
- VDS（漏极-源极电压）：650V
- VGS（栅极-源极电压）：±30V
- Vth（阈值电压）：3.5V
- VGS=10V时的导通电阻：500mΩ
- 最大漏极电流（ID）：9A
- 技术：SJ_Multi-EPI
- 封装：TO220

领域和模块应用：

适用领域和模块示例：
- 工业电源：由于650V的漏极-源极电压和9A的最大漏极电流，适用于工业电源模块，如逆变器和直流电源。
- 电动车充电器：具有30V的栅极-源极电压，适用于电动车充电器中的开关电源模块。
- 太阳能逆变器：SJ_Multi-EPI技术和500mΩ的导通电阻，使其适用于太阳能逆变器中的功率开关模块，以实现高效能的能量转换。

*请注意：以上只是示例应用场景，具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时，请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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