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VBM165R08SE 产品详细

产品简介:

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VBsemi VBM165R08SE 是一款 Single N MOSFET,采用 SJ_Deep-Trench 技术,封装为 TO220。具有高性能和稳定性,适用于各种功率控制和开关应用。

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产品参数:

详细参数说明:
- 品牌:VBsemi
- 产品型号:VBM165R08SE
- MOSFET类型:Single N
- 额定电压(VDS):650V
- 栅极-源极电压(VGS):±30V
- 阈值电压(Vth):3.5V
- 栅源电压为10V时的导通电阻:460mΩ
- 最大连续漏极电流(ID):8A
- 技术:SJ_Deep-Trench
- 封装:TO220

领域和模块应用:

适用领域和模块举例:
1. 电源模块:VBM165R08SE 可用于开关电源、逆变器和稳压器等电源模块中,适用于工业控制、通信设备和电子设备等领域。
2. 电动汽车:在电动汽车的电力转换模块中,VBM165R08SE 可以用作关键的开关元件,实现电池组和电动机之间的高效能量转换。
3. 太阳能逆变器:作为太阳能逆变器中的关键部件,VBM165R08SE 可以实现太阳能电能的转换和输送,适用于太阳能发电系统。
4. 工业自动化:在工业自动化设备中,VBM165R08SE 可以用作电源开关和控制元件,如PLC控制器和机器人控制系统。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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