产品简介：
VBM165R08 是由 VBsemi 生产的单 N 沟道 MOSFET。该产品适用于需要高性能和可靠性的各种应用场合。该 MOSFET 具有 650V 的 VDS 评级，可承受连续漏极电流（ID）为 8A。采用平面工艺，确保在不同环境中的高效运行和稳健性。
详细参数说明：
- VDS(V)：漏极-源极电压 - 650V
- VGS(±V)：栅极-源极电压（±） - 30V
- Vth(V)：阈值电压 - 3.5V
- VGS=4.5V(mΩ)：在 VGS=4.5V 时的导通电阻 - 480 mΩ
- VGS=10V(mΩ)：在 VGS=10V 时的导通电阻 - 384 mΩ
- ID (A)：连续漏极电流 - 8A
- Technology：平面工艺