产品简介:
VBM165R07S是VBsemi品牌的Single N MOSFET,具有650V的耐压能力,最大门源电压为30V,阈值电压为3.5V。该器件采用SJ_Multi-EPI技术,封装为TO220。适用于各种电源和功率控制应用。
VB Package | Configuration | VDS(V) | VGS | Vthyp(V) | ID(A) | Rds2.5 | Rds4.5 | Rds10 | Technology |
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TO220 | Single-N | 650V | 30(±V) | 3.5V | 7A | 700 (mΩ) | SJ_Multi-EPI |
详细参数说明:
- 型号:VBM165R07S
- 品牌:VBsemi
- 类型:Single N MOSFET
- 最大漏极-源极电压(VDS):650V
- 最大门-源电压(VGS):±30V
- 阈值电压(Vth):3.5V
- 10V下的漏极-源极电阻(mΩ):700mΩ
- 最大漏极电流(ID):7A
- 技术:SJ_Multi-EPI
- 封装:TO220
示例应用:
1. 电源模块:由于具有较高的耐压和电流能力,VBM165R07S可用于电源模块中的功率开关和电压调节器,如逆变器和稳压器。
2. 电动车控制器:在电动车的电动控制器中,该器件可以用于电机驱动和电池管理系统,实现高效能量转换和动力输出控制。
3. 太阳能逆变器:在太阳能光伏系统中,VBM165R07S可用于逆变器的DC-AC转换阶段,将太阳能转换为可用的交流电。
4. 工业自动化设备:该器件适用于工业机器人、PLC和自动化设备中的功率开关模块,提供可靠的电力控制和保护功能。
5. LED照明系统:作为LED照明系统中的功率开关器件,VBM165R07S可用于LED驱动电路,实现照明亮度的调节和节能功能。
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