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VBM165R06 产品详细

产品简介:

**产品简介:**
VBsemi VBM165R06 是一款单通道 N 型 MOSFET,采用 Plannar 技术制造,具有高性能和可靠性。其封装为 TO220,适用于各种电源和功率控制应用。

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产品参数:

**详细参数说明:**
- 额定漏极-源极电压(VDS):650V
- 额定栅极-源极电压(VGS):±30V
- 阈值电压(Vth):3.5V
- 典型栅极电阻(VGS=10V):1700 mΩ
- 额定漏极电流(ID):6A

领域和模块应用:

**适用领域和模块示例:**
1. **电源模块:** VBM165R06 可用于各种电源模块中,提供稳定的电压和电流输出,适用于工业设备、通信设备等领域。

2. **电动汽车驱动系统:** 在电动汽车的驱动系统中,该型号的 MOSFET 可以作为功率开关器件,控制电机的启停和速度调节。

3. **工业控制器:** 在工业自动化控制领域,VBM165R06 可用于驱动各种执行器和电机,实现自动化生产线的运行和控制。

4. **UPS(不间断电源)系统:** 在UPS系统中,该产品可用作功率开关装置,确保在电网停电时维持设备的稳定供电。

5. **太阳能逆变器:** 该型号的 MOSFET 可以应用于太阳能逆变器中,将太阳能电池板收集的直流电转换为交流电供给家庭或工业用电设备。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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