产品简介：VBsemi的VBM165R05SE是一款单N沟道功率场效应晶体管（FET），采用SJ_Deep-Trench技术制造。其封装为TO220，具有可靠的性能和高效的功率处理能力。适用于各种需要单N沟道FET的应用场景。
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详细参数说明：
- 电压参数：VDS（漏极-源极电压）为650V，VGS（栅极-源极电压）为±30V，阈值电压（Vth）为3.5V。
- 电流参数：在VGS=10V时，漏极
详细参数说明：
- 电压参数：VDS（漏极-源极电压）为650V，VGS（栅极-源极电压）为±30V，阈值电压（Vth）为3.5V。
- 电流参数：在VGS=10V时，漏极-源极电阻（RDSon）为780mΩ，最大漏极电流（ID）为5A。
适用领域和模块：
1. 工业电子：适用于高效的电源转换器、逆变器和电机驱动器。
2. 汽车电子：可用于电动汽车的电机控制和电池管理系统。
3. 太阳能和可再生能源：适用于太阳能逆变器、光伏发电系统和风力发电装置等能源转换设备。
4. 电源供应：用于服务器、通信基站和工业设备的高性能电源模块。
5. 医疗设备：可用于医疗成像设备、X射线发生器和CT扫描机等高压电源控制模块。
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