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VBM165R02 产品详细

产品简介:

VBM165R02产品简介:

VBsemi的VBM165R02是一款单N型功率MOSFET,具有高性能和可靠性。该产品适用于各种功率电子应用,提供可靠的电气特性和稳定的性能。

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产品参数:

VBM165R02详细参数说明:

- 型号:VBM165R02
- 品牌:VBsemi
- 封装:TO220
- 类型:单N型功率MOSFET
- 额定电压(VDS):650V
- 栅极-源极电压(VGS):±30V
- 阈值电压(Vth):3.5V
- 在VGS=4.5V时的漏极-源极电阻(mΩ):3900
- 在VGS=10V时的漏极-源极电阻(mΩ):3120
- 漏极电流(ID):2A
- 技术:平面工艺(Plannar)

领域和模块应用:

应用举例:

1. 电源模块:VBM165R02可用于各种电源模块,如开关电源、逆变器和稳压器,提供高效能和可靠性。

2. 电动车辆控制器:在电动车辆控制器中,该产品可作为关键的功率开关器件,用于电机驱动和控制,具有优异的电气性能和温度特性。

3. 太阳能逆变器:在太阳能逆变器中,VBM165R02可用作功率开关器件,用于转换太阳能电池板产生的直流电为交流电,实现能量转换和输出。

以上仅为示例,实际应用取决于具体设计和系统要求。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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