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VBM165R01 产品详细

产品简介:

**产品简介:**
VBsemi的VBM165R01是一款单N沟道MOSFET,采用Plannar技术制造,封装为TO220。该产品具有高达650V的漏极-源极电压(VDS),并且具有良好的电流驱动能力。它适用于各种领域的电源管理和开关应用。

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产品参数:

**详细参数说明:**
- 品牌:VBsemi
- 型号:VBM165R01
- 类型:Single N 沟道 MOSFET
- 漏极-源极电压(VDS):650V
- 栅极-源极电压(VGS):±30V
- 阈值电压(Vth):3.5V
- 栅极-源极电压为10V时的导通电阻:8500 mΩ
- 最大漏极电流(ID):1A
- 技术:Plannar
- 封装:TO220

领域和模块应用:

**适用领域和模块举例:**
1. **电源管理模块**:VBM165R01可用于开发各种电源管理模块,例如开关电源、电池充放电管理等。由于其高电压和低导通电阻特性,能够提供可靠的功率开关功能。

2. **工业自动化**:在工业自动化领域,该型号的MOSFET可用于控制各种电机、驱动器和工业设备。其高电压和低导通电阻特性使其成为工业电路中的理想选择。

3. **照明应用**:VBM165R01可应用于LED驱动和照明系统中,用于控制LED灯的亮度和开关。其高电压特性使其能够承受照明系统中的高电压和功率波动。

4. **太阳能逆变器**:在太阳能发电系统中,该型号的MOSFET可用于太阳能逆变器中的功率开关电路,实现太阳能电能的有效转换和管理。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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