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VBM1606 产品详细

产品简介:

该产品为单N沟道场效应晶体管,主要参数包括:
- 最大漏极-源极电压(VDS):60V
- 最大门极-源极电压(VGS):±20V
- 门极阈值电压(Vth):3V
- 在VGS=10V时的漏-源电阻:5mΩ
- 最大漏极电流(ID):120A
- 技术特点:采用沟道结构

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产品参数:

参数:
- Single N
- VDS(V): 60
- VGS(±V): 20
- Vth(V): 3
- VGS=10V(mΩ): 5
- ID (A): 120
- Technology: Trench

封装:TO220

领域和模块应用:

**应用简介:**
这款产品适用于各种领域的功率电子应用,特别适合以下领域和模块:

1. **电动汽车电源模块:** 由于其高电压和大电流特性,该产品非常适合用于电动汽车的功率逆变器模块,实现电能的高效转换和控制。

2. **工业电力系统:** 在工业电力系统中,该产品可用于开关电源、电机驱动器和UPS(不间断电源)等模块,以实现对电能的高效控制和转换。

3. **太阳能逆变器:** 该产品在太阳能逆变器中起着关键作用,通过转换太阳能板产生的直流电为交流电,供给家庭和工业用电。

4. **高性能电源模块:** 由于其低漏阻、高电流特性,该产品可用于高性能电源模块,如服务器电源和电信基站电源,确保稳定的电能供应。

5. **工业自动化控制系统:** 在工业自动化领域,该产品可用于电机控制器、变频器和PLC(可编程逻辑控制器)等模块,提高系统的效率和可靠性。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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