MOSFET

您现在的位置 > 首页 > MOSFET

VBM16036N 产品详细

产品简介:

产品简介:VBM16036N是VBsemi品牌的单N型场效应晶体管,采用Plannar技术封装为TO220。具有600V的漏极-源极电压(VDS)、30V的门源电压(VGS)、3.5V的阈值电压(Vth)、288mΩ(VGS=10V)的导通电阻以及15A的漏极电流(ID)。

文件下载

下载PDF 文档
立即下载

产品参数:

详细参数说明:
- 漏极-源极电压(VDS):600V
- 门源电压(VGS):±30V
- 阈值电压(Vth):3.5V
- 门源电压为10V时的导通电阻:288mΩ
- 漏极电流(ID):15A
- 技术:Plannar
- 封装:TO220

领域和模块应用:

适用领域和模块示例:
1. 电源管理模块:适用于电源逆变器、直流-直流转换器等模块,提供稳定的功率转换和电源控制。
2. 工业电气设备:在工业控制系统中的功率开关模块,提供对电机和设备的精确控制,提高生产效率和能源利用率。
3. 电动车辆充电器:在电动汽车充电桩中的功率开关模块,实现对电动车辆的充电过程的控制和管理。
4. 太阳能和风能转换器:用于太阳能逆变器、风力发电逆变器等领域,将可再生能源转换为可用的电能并注入电网。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

打样申请

序列号验证

在线咨询

电话咨询

400-655-8788

微信咨询

一键置顶

打样申请
序列号验证
在线咨询
电话咨询
微信咨询