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VBM15R14S 产品详细

产品简介:

VBK1230N是一款单N沟道场效应管,适用于高压高频应用场景。该器件采用SJ_Multi-EPI技术制造,具有良好的高效能和高耐受性。

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产品参数:

产品型号:VBM15R14S
品牌:VBsemi(深圳市微碧半导体有限公司旗下品牌)
参数:
- 极性:Single N
- 最大漏极-源极电压(VDS):500V
- 最大栅极-源极电压(VGS):±30V
- 阈值电压(Vth):3.5V
- VGS=10V时的导通电阻(mΩ):290
- 最大漏极电流(ID):14A
- 技术:SJ_Multi-EPI
封装:TO220

领域和模块应用:


该产品适用于以下领域和模块:
1. 工业电源模块:
由于其高漏极-源极电压(VDS)和较高的漏极电流(ID),适用于工业级电源模块,如变频器、直流电源和工业UPS等,能够提供可靠的功率转换和控制。

2. 高压电子模块:
具有500V的最大漏极-源极电压(VDS),适用于高压电子模块,如电力供应、电动车充电器和电动机控制器等,能够承受较高的电压并提供稳定的电力输出。

3. 高频开关模块:
由于具有较低的导通电阻(mΩ)和高阈值电压(Vth),适用于高频开关模块,如变频器、无线电频率调节器和电力逆变器等,能够实现高效的功率开关和频率调节。

4. 汽车电子模块:
适用于汽车电子模块,如电动汽车电源控制、发动机控制单元和车载充电器等,能够满足汽车电子系统对高效能和高耐受性的需求,提高车辆性能和安全性。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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