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VBM15R08 产品详细

产品简介:


VBM15R08是一款Single N结构的功率MOSFET,具有500V的额定漏极-源极电压、低阈值电压、适用于Plannar技术的制造工艺。其TO220封装使其适用于各种中功率应用场景。

VBM15R08适用于需要中功率承受能力、低阈值电压和适中漏极电流的场景,包括电源管理模块、LED照明驱动器、电动工具驱动器等领域。

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产品参数:

参数:
- 结构类型:Single N
- 额定漏极-源极电压(VDS):500V
- 门源电压(VGS):±30V
- 阈值电压(Vth):3.4V
- 漏极-源极电阻(VGS=10V):1100 mΩ
- 漏极电流(ID):8A
- 技术:Plannar
封装:TO220

领域和模块应用:

举例说明:
1. 电源管理模块:
由于VBM15R08具有较高的额定漏极-源极电压和低漏极电流,适合作为电源管理模块中的功率开关元件,用于实现电源的开关和调节功能。

2. LED照明驱动器:
在LED照明驱动器中,需要使用功率MOSFET来实现LED灯珠的驱动和控制。VBM15R08的低阈值电压和适中的电流承受能力使其成为LED照明驱动器中的理想选择。

3. 电动工具驱动器:
在电动工具驱动器中,需要使用功率MOSFET来实现对电机的精确控制和驱动。VBM15R08的TO220封装和Plannar技术使其适用于电动工具驱动器中的功率开关模块。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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