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VBM155R20 产品详细

产品简介:


- 该产品为单 N 型场效应晶体管,适用于中功率应用。
- 具有较高的额定漏极-源极电压(VDS)和较低的导通电阻,适用于要求较高电压和中功率的场合。
- 技术上采用了 Plannar 结构,提高了性能和可靠性。

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产品参数:

产品型号: VBM155R20
品牌: VBsemi
公司: 深圳市微碧半导体有限公司
参数:
- 类型: 单 N 型
- 额定漏极-源极电压(VDS): 550V
- 门源电压范围(VGS): ±30V
- 阈值电压(Vth): 3.5V
- 门源电压为10V时的导通电阻(mΩ): 250
- 最大漏极电流(ID): 20A
- 技术: Plannar
封装: TO220

领域和模块应用:


应用简介:
- 适用领域:
- 电源模块
- 电机驱动
- 逆变器控制
- 汽车电子
- 工业自动化

举例说明:
1. 电源模块: 用于中功率电源系统,如工业电源、通信设备电源等,提供稳定的电源输出。
2. 电机驱动模块: 用于中功率电机驱动,如电动汽车驱动、工业机械驱动等,提供可靠的电机控制。
3. 逆变器控制模块: 用于各种逆变器控制电路,如太阳能逆变器、变频空调等,实现电能的转换和控制。
4. 汽车电子模块: 用于汽车电子系统,如发动机控制单元(ECU)、车载充电器等,提供稳定的功率转换和控制。
5. 工业自动化模块: 用于各种工业自动化设备和系统,如PLC(可编程逻辑控制器)、机器人控制等,提供稳定的开关功能。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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