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VBM155R13 产品详细

产品简介:

VBM155R13是一款Single N结构的功率MOSFET,具有550V的额定漏极-源极电压、低阈值电压和适中的漏极电流。采用Plannar技术制造,TO220封装适用于需要中功率承受能力、低阈值电压和适中漏极电流的场景,包括工业电源模块、高频电源逆变器、电动机驱动器等领域。

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产品参数:

参数:
- 结构类型:Single N
- 额定漏极-源极电压(VDS):550V
- 门源电压(VGS):±30V
- 阈值电压(Vth):3.2V
- 漏极-源极电阻(VGS=10V):600 mΩ
- 漏极电流(ID):13A
- 技术:Plannar
封装:TO220

领域和模块应用:

举例说明:
1. 工业电源模块:
VBM155R13具有较高的额定漏极-源极电压和适中的漏极电流,适合用作工业电源模块中的功率开关元件,用于控制和调节工业设备的电源输出。

2. 高频电源逆变器:
在高频电源逆变器中,需要使用功率MOSFET来实现对电源的高频开关控制。VBM155R13的TO220封装和Plannar技术使其适用于高频电源逆变器中的功率开关模块。

3. 电动机驱动器:
在电动机驱动器中,需要使用功率MOSFET来实现对电机的精确控制和驱动。VBM155R13的低阈值电压和适中的漏极电流使其适用于电动机驱动器中的功率开关模块。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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