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VBM155R02 产品详细

产品简介:

该产品是一款Single N结构的功率MOSFET,具有较低的漏极电流(ID)和适中的漏极-源极电压(VDS),适用于低功率开关模块。

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产品参数:

参数:
- 极性:Single N
- 最大漏极-源极电压(VDS):550V
- 最大栅极-源极电压(VGS):±30V
- 阈值电压(Vth):3V
- VGS=10V时的导通电阻(mΩ):3000
- 最大漏极电流(ID):2A
- 技术:Plannar
封装:TO220

领域和模块应用:


该产品适用于以下领域和模块:
1. 低功率开关模块:
由于具有较低的漏极电流(ID)和适中的漏极-源极电压(VDS),适用于低功率开关模块,如小型电源开关、LED照明调光器和电子开关控制器等,能够实现小型设备的高效开关和控制。

2. 电源管理模块:
适用于电源管理模块,如小型电源适配器、电池充电管理器和稳压器等,能够提供稳定的电力输出和精准的电压调节,满足对电源管理精度和稳定性的要求。

3. 电机驱动模块:
适用于小型电机驱动模块,如风扇控制器、小型电动车驱动器和舵机控制器等,能够提供可靠的电机驱动和精准的速度控制,满足小型电动设备的运行需求。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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