VBM1402是一款单体N型MOSFET，具有以下特性：
- 最大漏极电压（VDS）为40V，适用于高功率应用。
- 最大门源电压（VGS）为±20V，兼容多种驱动电路。
- 阈值电压（Vth）为3V，具有良好的开关特性。
- 在VGS=4.5V时，导通电阻为15mΩ；在VGS=10V时，导通电阻为2mΩ，具有低导通电阻和低开关损耗。
- 最大漏极电流（ID）为180A，能够承受大电流负载。
- 采用Trench技术，具有优异的性能和稳VBM1402是一款单体N型MOSFET，具有以下特性：
- 最大漏极电压（VDS）为40V，适用于高功率应用。
- 最大门源电压（VGS）为±20V，兼容多种驱动电路。
- 阈值电压（Vth）为3V，具有良好的开关特性。
- 在VGS=4.5V时，导通电阻为15mΩ；在VGS=10V时，导通电阻为2mΩ，具有低导通电阻和低开关损耗。
- 最大漏极电流（ID）为180A，能够承受大电流负载。
- 采用Trench技术，具有优异的性能和稳定性。
- 封装为TO220，适用于高功率电子设备的散热要求。