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VBM1401 产品详细

产品简介:

VBM1401是一款单路N沟道MOSFET,适用于高功率功率控制和开关应用。具有40V的最大漏极-源极电压(VDS)、280A的最大漏极电流(ID)和极低的漏极-源极电阻(RDS(on))。采用沟道技术制造,封装为TO220,适用于需要高功率输出的电子设备的功率开关和控制模块。

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产品参数:

产品型号: VBM1401
品牌: VBsemi
参数:
- MOSFET类型: 单路N沟道
- 最大漏极-源极电压(VDS): 40V
- 最大栅极-源极电压(VGS): ±20V
- 阈值电压(Vth): 2.5V
- 在VGS=10V时的漏极-源极电阻(RDS(on)): 1mΩ
- 最大漏极电流(ID): 280A
- 技术: 沟道技术(Trench)
- 封装: TO220

领域和模块应用:

举例说明:
1. **电动车辆驱动模块**:VBM1401可用于设计电动车辆的驱动系统中的功率开关器件,如电动汽车、电动摩托车和电动自行车等。其高漏极电流和低漏极电阻可提供足够的功率输出,满足电动车辆在高速行驶和爬坡时的功率需求。

2. **工业电源模块**:在工业电源系统中,VBM1401可用作高功率的开关电源模块的关键元件,实现对工业设备和机器的稳定供电。其极低的漏极-源极电阻和高漏极电流特性可提供高效的功率输出,满足工业设备在各种工作环境下的需求。

3. **焊接设备模块**:在焊接设备中,VBM1401可用于设计高功率的功率开关模块,如电弧焊机、点焊机和激光焊接机等。其高漏极电流和低漏极电阻可确保设备的稳定运行和焊接质量,提高焊接效率和生产效率。

4. **电力电子模块**:在电力电子领域,VBM1401可用于设计各种高功率的电力电子模块,如逆变器、变频器和交流调压器等。其稳定的特性和高功率输出使其成为电力电子系统中的理想功率开关器件,提高系统的效率和稳定性。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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