MOSFET

您现在的位置 > 首页 > MOSFET

VBM1307 产品详细

产品简介:

VBsemi的VBM1307是一款单通道N沟道场效应晶体管(Single N),采用Trench工艺制造。它的主要参数包括:最大漏极-源极电压(VDS)为30V,最大栅极-源极电压(VGS)为±20V,阈值电压(Vth)为1.7V,以及在不同栅极-源极电压下的导通电阻等。该器件采用TO220封装,适用于各种应用场合。

文件下载

下载PDF 文档
立即下载

产品参数:

参数:
- 类型: 单极性 N 型
- 额定漏极-源极电压 (VDS): 30V
- 额定栅极-源极电压 (VGS): ±20V
- 阈值电压 (Vth): 1.7V
- VGS=4.5V时的漏极-源极电阻 (mΩ): 10
- VGS=10V时的漏极-源极电阻 (mΩ): 7
- 漏极电流 (ID): 70A
- 技术: Trench
封装: TO220

领域和模块应用:

这款 VBM1307 产品适用于以下领域和模块:
1. 电源模块: 由于其较高的漏极电流和低漏极-源极电阻,可用于设计高性能的开关电源模块,如直流-直流(DC-DC)转换器和交流-直流(AC-DC)转换器。
2. 电动汽车控制器: 适用于设计电动汽车控制器模块,以控制电动汽车的驱动电机,并提供高效率和可靠性的功率输出。
3. 工业自动化: 可用于工业自动化领域,例如机器人控制系统、自动化生产线和工艺控制器,以提供可靠的电力控制和调节。
4. 电动工具: 适用于设计高功率的电动工具模块,如电动钻、电锤和电动锯,以提供可靠的工作性能和持久的使用寿命。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

打样申请

序列号验证

在线咨询

电话咨询

400-655-8788

微信咨询

一键置顶

打样申请
序列号验证
在线咨询
电话咨询
微信咨询