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VBM1302S 产品详细

产品简介:

该产品是单N沟道MOSFET,具有以下主要参数:
- 最大漏极-源极电压(VDS): 30V
- 最大栅极-源极电压(VGS): ±20V
- 阈值电压(Vth): 1.7V
- 在VGS=4.5V时的漏极-源极电阻(RDS(on)): 4mΩ
- 在VGS=10V时的漏极-源极电阻(RDS(on)): 3mΩ
- 最大漏极电流(ID): 170A
- 技术特点: 沟道型

VBM1302S具有高性能、低损耗和稳定性的特点,适用于各种高功率和高频率控制的场合,能够满足电动汽车、工业高频电源和音响系统等领域的需求。

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产品参数:

产品型号: VBM1302S
品牌: VBsemi
参数:
- Single N
- VDS(V): 30
- VGS(±V): 20
- Vth(V): 1.7
- RDS(on) VGS=4.5V(mΩ): 4
- RDS(on) VGS=10V(mΩ): 3
- ID (A): 170
- Technology: Trench
封装: TO220

领域和模块应用:

应用简介:
VBM1302S适用于高功率、高电压和高频率的场合,特别适用于要求高性能和低损耗的模块。以下是该产品在不同领域和模块中的应用示例:

1. 电动汽车驱动模块:
- 电动汽车电机驱动器:用于控制电动汽车的电机转速和功率输出,提供高效的动力传输和车辆控制。
- 电动汽车充电桩:用于电动汽车充电桩的电源管理和充电控制,实现快速充电和高功率充电服务。

2. 工业高频电源模块:
- 高频电子负载:用于工业设备和机械的高频电源供应和负载控制,实现精准的电能转换和输出。
- 激光切割和焊接设备:用于工业激光切割和焊接设备的功率控制和输出管理,提高生产效率和质量。

3. 高性能音响功放模块:
- 演播室音响系统:用于演播室和录音棚的音响功放模块,提供高保真音质和大功率输出。
- 专业舞台音响设备:用于演唱会和舞台表演的音响系统,提供强大的音频输出和清晰的音响效果。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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