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VBM1302 产品详细

产品简介:

VBM1302是一款单体 N 沟道场效应管,具有漏极-源极电压(VDS)为30V,门-源电压(VGS)为±20V,阈值电压(Vth)为1.7V,以及在不同门-源电压下的漏极-源极电阻(RDS(on))。此外,它具有140A的漏极电流(ID)容量,采用沟槽技术制造,封装为TO220。

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产品参数:

**参数:**
- 单体 N 沟道场效应管
- VDS(V): 30
- VGS(±V): 20
- Vth(V): 1.7
- VGS=4.5V时的漏极-源极电阻(mΩ): 3
- VGS=10V时的漏极-源极电阻(mΩ): 2
- ID (A): 140
- 技术:沟槽
**封装:** TO220

领域和模块应用:

**应用举例:**
1. **电源开关模块:** VBM1302的高漏极电流容量和低的导通电阻使其非常适合用于电源开关模块中。例如,可以将其用于工业设备、家用电器等领域的电源开关,以实现可靠的电源控制和高效的能量转换。

2. **汽车电子模块:** 由于VBM1302具有较高的漏极电流容量和低的导通电阻,因此它也可以用于汽车电子模块中。例如,可以将其用于汽车的点火系统、电动汽车的电池管理系统等模块中,以确保稳定的电源输出和可靠的系统性能。

3. **工业自动化控制模块:** 该器件的TO220封装和沟槽技术支持下的低开关损耗使其非常适合用于工业自动化控制模块中。例如,可以将其用于PLC(可编程逻辑控制器)、变频器等工业控制设备中,以实现高效的能量转换和精确的控制功能。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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