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VBM1252M 产品详细

产品简介:

VBM1252M是VBsemi公司推出的Single N型沟道MOSFET,具有以下特点:
- 额定漏极-源极电压(VDS)为250V,适用于中高压应用;
- 门极-源极电压(VGS)为±20V,具有较大的工作范围;
- 阈值电压(Vth)为3.5V,具有良好的开启特性;
- 在门极电压为10V时的导通电阻(RDS(on))为190mΩ,导通电阻较低,能够降低功耗并提高效率;
- 最大漏极电流(ID)为14A,具有适中的工作电流容量;
- 采用Trench技术,具有稳定可靠的性能;
- 封装形式为TO220,适合于中等功率模块和一般工业应用。

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产品参数:

参数:
- Single N型
- VDS(V):250
- VGS(±V):20
- Vth(V):3.5
- VGS=10V时的导通电阻(mΩ):190
- ID (A):14
- 技术:沟道MOSFET(Trench)
封装:TO220

领域和模块应用:

应用简介:
VBM1252M适用于多种领域和模块,包括但不限于:
1. 电源模块:由于其中等电压和较低的导通电阻,VBM1252M可用于中功率电源模块,如开关电源、逆变器和工业电源等,提供稳定可靠的电能转换和供应。
2. 电机驱动模块:在工业控制系统和自动化设备中,VBM1252M可用作电机驱动模块的关键元器件,提供可靠的电流控制和驱动功能。
3. 照明控制模块:在LED照明系统和照明控制器中,VBM1252M可用于功率放大和亮度调节,实现高效节能的照明解决方案。
4. 汽车电子模块:作为汽车电子模块的一部分,VBM1252M可应用于汽车电动窗控制、车载音响系统和电动座椅调节器等模块,提升汽车的舒适性和便利性。
5. 工业控制模块:在工业自动化和机器人控制系统中,VBM1252M可用于开关控制、传感器接口和电机驱动等模块,实现稳定可靠的工业控制。

以上是VBM1252M产品在各个领域和模块中的应用示例,说明了其在不同应用场景下的优势和适用性。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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