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VBM1251K 产品详细

产品简介:

VBM1251K是一款单N沟道MOSFET,具有高额定漏极-源极电压和斜坡栅结构技术,适用于各种中低功率电子设备的设计。

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产品参数:

参数:
- 类型: 单N沟道MOSFET
- 额定漏极-源极电压(VDS): 250V
- 额定栅极-源极电压(VGS): ±20V
- 阈值电压(Vth): 3V
- 栅-源电压为10V时的漏极-源极导通电阻(mΩ): 1100mΩ
- 漏极电流(ID): 4.4A
- 技术: 斜坡栅结构(Trench)
- 封装: TO220

领域和模块应用:

以下是该产品适用的一些领域和对应的模块:

1. 电源管理模块:
VBM1251K可用于设计各种类型的电源管理模块,如开关电源、稳压电源和DC-DC变换器等。其高额定漏极-源极电压和低导通电阻使其能够实现高效的能量转换和稳定的电源输出,适用于家用电子产品、工业设备和通信设备等领域。

2. 电动工具模块:
在电动工具领域,VBM1251K可用于设计各种电动工具控制模块,如电动钻、电动锯和电动剪等。其高额定漏极-源极电压和低导通电阻能够实现电动工具的高效驱动和稳定性能,提高工具的工作效率和使用寿命。

3. LED驱动模块:
作为LED照明系统的一部分,VBM1251K可用于设计LED驱动模块和灯具控制器。其高额定漏极-源极电压和低导通电阻使其能够实现LED灯具的高效驱动和调光控制,提供稳定、节能的照明解决方案,适用于室内和室外LED照明应用。

4. 工业自动化模块:
在工业自动化系统中,VBM1251K可用于设计各种控制和驱动模块,如电机控制器、传感器接口和工艺控制器等。其高额定漏极-源极电压和低导通电阻使其能够适用于各种工业环境下的自动化控制应用,提高生产效率和产品质量。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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